[发明专利]贯穿衬底通孔结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610822919.8 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106549003B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | M·J·塞登;F·J·卡尔尼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/367;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及贯穿衬底通孔结构及其制造方法。本发明公开了一种贯穿衬底通孔结构，该结构包括具有相对的第一主表面和第二主表面的衬底。一个或多个导电通孔结构被设置成在所述衬底内从所述第一主表面延伸到第一垂直距离。凹陷区域在所述衬底内从所述第二主表面延伸到第二垂直距离，并邻接所述导电通孔的下表面。在一个实施方案中，所述第二垂直距离大于所述第一垂直距离。导电区域被设置在所述凹陷区域内，并被构造成与所述导电通孔电导通和/或热连通。 | ||
| 搜索关键词： | 贯穿 衬底 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种贯穿衬底通孔结构，包括：衬底，所述衬底具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面；导电通孔结构，包括：从所述第一主表面延伸到第一距离的沟槽；以及设置在所述沟槽内的导电材料；凹陷区域，所述凹陷区域被设置成从所述第二主表面向内延伸到第二距离，其中所述凹陷区域比所述导电通孔结构宽；第一导电区域，所述第一导电区域在横截面视图中至少邻接所述凹陷区域的侧壁表面设置并沿所述侧壁表面延伸，其中所述第一导电层物理连接到所述导电材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610822919.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
