[发明专利]碳化硅衬底、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610808851.8 | 申请日： | 2013-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN106367811B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 石桥惠二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/3065;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅衬底、半导体器件及其制造方法。该碳化硅衬底(1)具有第一主面(1A)和面对第一主面(1A)的第二主面(1B)。包含第一主面(1A)和第二主面(1B)中的至少一个的区域包括单晶碳化硅。在该主面中的一个上，硫原子以60×1010原子/cm2到2000×1010原子/cm2的范围存在，作为杂质的碳原子以3at％到25at％的范围存在。由此，可以提供具有稳定表面的碳化硅衬底、使用该碳化硅衬底的半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅衬底，包括：第一主表面；以及第二主表面，所述第二主表面与所述第一主表面相反，包括所述第一主表面和所述第二主表面中的至少一个主表面的区域由单晶碳化硅制成，硫原子以不小于60×1010原子/cm2且不大于2000×1010原子/cm2存在于所述一个主表面中，并且作为杂质的碳原子以不小于3at％且不大于25at％存在于所述一个主表面中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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