[发明专利]一种具有压敏电阻的ESD保护低压超结MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201610789862.6 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206551B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张雨;刘侠;杨东林;罗义 | 申请（专利权）人： | 西安芯派电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有压敏电阻的ESD保护低压超结MOSFET及其制造方法，包括硅外延层，硅外延层外依次设置有场氧化层和介质层；其中硅外延层内设置有阱区，阱区上设置有源区，源区直接与介质层连接；场氧化层分别与多晶ESD结构和多晶压敏电阻连接，多晶压敏电阻与第一金属层连接；多晶ESD结构与第二金属层连接；有源区与第三金属层连接。通过在MOSFET的栅极和源极增加一个压敏电阻，解决了在常规需求下MOSFET器件测试不到栅极漏电流Igss真实电流的问题，并且还能够实现对单个低压超结MOSFET及单个ESD模块的测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 压敏电阻 esd 保护 低压 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有压敏电阻的ESD保护低压超结MOSFET，其特征在于，包括硅外延层(1)，硅外延层(1)外依次设置有场氧化层(2)和介质层(3)；其中硅外延层(1)内设置有阱区(6)，阱区(6)上设置有源区(10)，源区(10)直接与介质层(3)连接；场氧化层(2)分别与多晶ESD结构(4)和多晶压敏电阻(5)连接，多晶压敏电阻(5)与第一金属层(7)连接；多晶ESD结构(4)与第二金属层(8)连接；有源区(10)与第三金属层(9)连接；其中多晶压敏电阻(5)为多晶保险丝，阻值为5‑20Ω；所述第一金属层(7)和第三金属层(9)均为源极，且互相连接；所述第二金属层(8)为栅极，且第二金属层(8)位于第一金属层(7)和第三金属层(9)之间；所述多晶压敏电阻(5)的形状为中间细，两端粗的形状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安芯派电子科技有限公司，未经西安芯派电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610789862.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有改进的热耗散和光提取的高压LED
- 下一篇：平面集成电路电感器的梳状端子
