[发明专利]半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201610785784.2 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106549005B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;余振华;蔡柏豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括半导体器件、与半导体横向分离的导电通孔、介于半导体器件和导电通孔之间的封装剂、以及标记。标记由或无相交的字符或具有小于2的重叠数的字符形成。在另一实施例中，使用摆动扫描方法形成标记。通过形成所述标记，可以减少或消除来自标记工艺的缺陷。本发明的实施例还提供了半导体器件及制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：具有封装剂的半导体器件；通孔，所述通孔延伸穿过所述封装剂并且与所述半导体器件横向分离；保护层，所述保护层位于所述封装剂和所述通孔上方；标记，所述标记位于所述保护层内，所述标记包括无相交的字符。
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