[发明专利]一种晶体管的凹槽栅制备方法及大功率射频器件有效
| 申请号： | 201610750543.4 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107799407B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 黄荣;于国浩;黄源清;张宝顺;丁孙安 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管的凹槽栅制备方法及大功率射频器件。该制备方法包括在衬底上先后沉积牺牲层和光刻胶；利用激光直写光刻对所述光刻胶的光刻区域进行相变处理；在相变后的光刻胶和所述牺牲层上进行显影得到光刻图形；进一步对相变处理后的光刻胶进行相变处理；以所述进一步相变处理后的光刻胶和所述牺牲层作为掩膜对衬底进行刻蚀；去除所述衬底上的剩余光刻胶和牺牲层，在衬底上形成晶体管的凹槽栅。由于激光直写光刻技术具有窄线宽、刻写速率快的优点，本发明利用激光直写光刻技术制备凹槽栅，能够保证得到的凹槽栅具有较窄的光刻线条的同时，能够实现大面积短栅长晶体管的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 凹槽 制备 方法 大功率 射频 器件 | ||
【主权项】：
一种晶体管的凹槽栅制备方法，其特征在于，包括：S01、在衬底上先后沉积牺牲层和光刻胶；S02、利用激光直写光刻对所述光刻胶的光刻区域进行相变处理；S03、在相变处理后的光刻胶和所述牺牲层上进行显影得到光刻图形；S04、进一步对相变处理后的光刻胶进行相变处理；S05、以所述进一步相变处理后的光刻胶和所述牺牲层作为掩膜对衬底进行刻蚀；S06、去除所述衬底上的剩余光刻胶和牺牲层，在衬底上形成晶体管的凹槽栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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