[发明专利]一种多波长阵列激光器及其制造方法和使用方法在审
| 申请号： | 201610740283.2 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106099639A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 赵建宜;王任凡;张明洋 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司;武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125 |
| 代理公司： | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 | 代理人： | 何婷 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种多波长阵列激光器及其制造方法和使用方法。所述激光器包括至少两个DBR激光器，DBR激光器包括有源区结构和光栅区结构，DBR激光器的光栅区结构包括一个或者多个光栅区，各光栅区相隔指定长度；其中，采用具有相同光栅周期的光栅构成各DBR中的光栅区；在各DBR激光器中，由各自的一光栅区长度和相应光栅区相隔的一指定长度所构成的取样长度值，是根据该DBR激光器所要激射的波长所确定。本发明通过对光栅进行不同周期的取样制作，使得不同DBR激光器的激射波长不同，实现低成本的多波长阵列激光器，通过取样光栅设计及有源区设计，可以使得激光器阵列中各个激光器性能具备高度的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波长 阵列 激光器 及其 制造 方法 使用方法 | ||
【主权项】：
一种多波长阵列激光器，包括至少两个分布式布拉格反射激光器，每一个分布式布拉格反射激光器包括有源区结构和光栅区结构，其特征在于：每一个分布式布拉格反射激光器的光栅区结构包括一个或者多个光栅区，各光栅区相隔指定长度；其中，采用具有相同光栅周期的光栅构成各分布式布拉格反射激光器中的光栅区；在各分布式布拉格反射激光器中，由各自的一光栅区长度和相应光栅区相隔的一指定长度所构成的取样长度值，是根据该分布式布拉格反射激光器所要激射的波长所确定。
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- 周坤;唐淳;高松信;马毅;仁怀瑾;李弋;杜维川;杨小波;谭昊;孟慧成;彭珏;康俊杰 - 中国工程物理研究院应用电子学研究所
- 2016-12-30 - 2017-07-07 - H01S5/125
- 本实用新型提供了一种半导体激光器，该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导，并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜，前腔面蒸镀抗反射膜，然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜，利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合，实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。
- 一种基于布拉格相移光栅的电光调制器-201710043766.1
- 肖经;王泉;韦启钦;刘平 - 桂林电子科技大学
- 2017-01-19 - 2017-05-31 - H01S5/125
- 本发明公开了一种基于布拉格相移光栅的电光调制器，其特征是，包括基底层、下波导层和上波导层，所述下波导层和上波导层顺序叠接在基底层的上表面上，所述上波导层的顶部设有等周期的布拉格光栅，布拉格光栅的中间位置设有相移结构，相移结构将布拉格光栅分成大小相同的2个光栅结构，所述基底层的宽度尺寸要大于下波导层的宽度尺寸、上波导层的宽度尺寸，基底层的上表面还设有电极。这种电光调制器结构尺寸小、传输损耗低、调制效率高，另外还具有工艺简单，易集成于CMOS集成电路的特点。
- 一种半导体激光器及其制作方法-201611256072.8
- 周坤;唐淳;高松信;马毅;仁怀瑾;李弋;杜维川;杨小波;谭昊;孟慧成;彭珏;康俊杰 - 中国工程物理研究院应用电子学研究所
- 2016-12-30 - 2017-04-26 - H01S5/125
- 本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法，该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导，并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜，前腔面蒸镀抗反射膜，然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜，利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合，实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。
- 分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器-201410206087.8
- 姚辰;曹俊诚 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2014-05-15 - 2017-02-08 - H01S5/125
- 本发明提供一种分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器，包括多模波导及分别形成于所述多模波导两侧的DBR光栅波导，其中，所述多模波导的宽度至少为所述DBR光栅波导宽度的两倍。本发明采用宽度较宽的多模波导与宽度较窄的DBR光栅波导组合设计，可以同时实现单横模激射和单纵模激射；并且具有更大的增益面积及更高的输出光功率，可以提高出光光束的质量和收集效率，且器件更加小巧。本发明的DBR光栅波导通过波导宽度的周期性变化实现反馈，其上下电极可采用整片金属，具有更均匀的注入电流，易于实现激光波长调谐和上电极引线键合，提高了器件的成品率和工作稳定性，同时减少了太赫兹激光的功率损失。
- 一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法-201610996866.1
- 酉艳宁 - 北京青辰光电科技有限公司
- 2016-11-14 - 2017-01-18 - H01S5/125
- 本发明公开了一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法，其包含以下步骤(1)采用MOCVD外延在N‑GaAs衬底上获得一次外延材料；(2)在一次外延材料的p‑InGaAsP光栅层制作光栅；(3)二次外延上包层和接触层；(4)进行脊波导激光器工艺实现器件的制备。该激光器采用张应变InGaP/AlGaInP有源区以及张应变InGaP刻蚀停止层，可实现高寿命、低阈值、性能均一的650nm的分布反馈半导体激光器。
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