[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、器件层、第一和第二导电层、第一和第二通孔，以及MIM电容器结构。衬底包括有源区和无源区。器件层位于有源区中。第一导电层位于器件层上方。第二导电层位于第一导电层上方，其中第一导电层设置在器件层和第二导电层之间。第一通孔电连接第一和第二导电层。MIM电容器结构位于第一和第二导电层之间并且在无源区中，以及包括第一和第二电极和它们之间的电容器介电层。电容器介电层包括IIIA族金属氧化物或氮化物。第二通孔电连接第二导电层和第一与第二电极中的一个。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，包括有源区和无源区；器件层，位于所述有源区中；第一导电层，位于所述器件层上方；第二导电层，位于所述第一导电层上方，其中所述第一导电层设置在所述器件层和所述第二导电层之间；第一通孔，电连接所述第一导电层和所述第二导电层；MIM电容器结构，位于所述第一导电层和所述第二导电层之间并且位于所述无源区中，并且包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的电容器介电层，其中，所述电容器介电层的材料包括IIIA族金属氧化物或氮化物；以及第二通孔，电连接所述第二导电层和所述第一电极与所述第二电极中的一个。