[发明专利]一种FinFET制造方法及对应的FinFET结构在审
| 申请号： | 201610700893.X | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106229258A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 曹蕊 | 申请（专利权）人： | 曹蕊 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 | 代理人： | 张清彦 |
| 地址： | 062550 河北省沧州市任丘*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种FinFET制造方法，包括：a.提供衬底；b.在所述衬底上形成鳍片；c.在所述鳍片上表面淀积保护掩膜层；d.进行碳离子注入，在所述鳍片中形成穿通阻挡层；e.在所述鳍片两侧形成第一浅沟槽隔离结构；f.在所述鳍片两端部分分别形成源区、漏区以及在所述鳍片中部形成栅极结构。通过采用本发明中的FinFET沟道掺杂方法，采用碳离子代替三五族离子形成穿通阻挡层，能够在抑制穿通电流的同时也不会在沟道中引入电子或空穴，消除了对形成穿通阻挡层对沟道产生的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 制造 方法 对应 结构 | ||
【主权项】：
一种FinFET制造方法，包括：a.提供衬底(100)；b.在所述衬底上形成鳍片(200)；c.在所述鳍片(200)上表面淀积保护掩膜层(300)；d.进行碳离子注入，在所述鳍片(200)中形成穿通阻挡层(500)；e.在所述鳍片(200)两侧形成第一浅沟槽隔离结构(400)；f.在所述鳍片(200)两端部分分别形成源区、漏区以及在所述鳍片中部形成栅极结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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