[发明专利]超结型半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610697546.6 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106469759B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李光远;姜惠民;李在吉 | 申请（专利权）人： | 快捷韩国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种超结型半导体装置及其制造方法。所述超结型半导体装置包括：掺杂有第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的有源区，所述有源区包括漂移层；以及被设置成包围有源区的终止区，所述终止区包括设置在所述漂移层的侧表面上的下边缘区和设置在所述下边缘区上的上边缘区，其中所述上边缘区包括设置在所述下边缘区上的下部电荷平衡区和设置在所述下部电荷平衡区上的上部电荷平衡区，所述下部电荷平衡区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，而所述上部电荷平衡区具有所述第一导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 超结型 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超结型半导体装置，包括：掺杂有第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的有源区，所述有源区包括漂移层；以及包围所述有源区的终止区，所述终止区包括设置在所述漂移层的侧表面上的下边缘区和设置在所述下边缘区上的上边缘区，其中所述上边缘区包括设置在所述下边缘区上的下部电荷平衡区和设置在所述下部电荷平衡区上的上部电荷平衡区，所述下部电荷平衡区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，所述上部电荷平衡区具有所述第一导电类型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于快捷韩国半导体有限公司，未经快捷韩国半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610697546.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：光伏电池和太阳能电池组件
- 同类专利
- 专利分类
