[发明专利]超结型半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201610697546.6 | 申请日: | 2016-08-19 |
公开(公告)号: | CN106469759B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 李光远;姜惠民;李在吉 | 申请(专利权)人: | 快捷韩国半导体有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 浦彩华;姚开丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 超结型 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于快捷韩国半导体有限公司,未经快捷韩国半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610697546.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件
- 下一篇:光伏电池和太阳能电池组件
- 同类专利
- 专利分类