[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底，所述基底包括：衬底和位于衬底上的鳍部；在衬底上形成初始隔离结构，初始隔离结构表面低于鳍部顶部表面；在鳍部侧壁表面形成侧墙；以侧墙为掩膜对所述初始隔离结构进行刻蚀，形成隔离结构，隔离结构包括隔离体和凸出于隔离体表面的初始凸出部；去除侧墙；去除侧墙之后，在隔离体和初始凸出部上形成初始隔离层；对初始隔离层和初始凸出部进行刻蚀，形成隔离层和凸出部，在对初始隔离层和初始凸出部进行刻蚀的条件下，初始隔离层材料与初始凸出部材料的刻蚀选择比值小于1。所述形成方法能够降低所形成的凸出部和隔离层的表面高度差，从而降低所形成半导体结构的漏电流。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括：衬底和位于所述衬底上的鳍部；在所述衬底上形成初始隔离结构，所述初始隔离结构覆盖所述鳍部部分侧壁，所述初始隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面；在形成初始隔离结构之后，在所述鳍部侧壁表面形成侧墙；以所述侧墙为掩膜对所述初始隔离结构进行刻蚀，去除部分初始隔离结构，形成隔离结构，所述隔离结构包括隔离体和凸出于所述隔离体表面的初始凸出部，所述初始凸出部覆盖所述鳍部部分侧壁；对所述初始隔离结构进行刻蚀之后，去除所述侧墙；去除所述侧墙之后，在所述隔离体和所述初始凸出部上形成初始隔离层；对所述初始隔离层和初始凸出部进行刻蚀，形成隔离层和凸出部，在对所述初始隔离层和初始凸出部进行刻蚀的条件下，所述初始隔离层材料与所述初始凸出部材料的刻蚀选择比值小于1。