[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：形成衬底；形成伪栅结构；填充介质层；形成注入开口；注入修复离子；去除注入开口底部的氧化层；在露出的核心区鳍部表面形成界面层；进行修复处理，使修复离子修复核心区鳍部与界面层的界面。本发明通过在形成去除核心区伪栅结构的伪栅极形成注入开口之后，向注入开口底部氧化层下方的核心区鳍部注入修复离子；之后再形界面层，并通过修复处理，使修复离子修复核心区鳍部与界面层的界面。修复离子能够饱和鳍部表面的悬挂键，从而提高核心区鳍部与界面层之间的界面性能，进而改善所形成半导体结构的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成衬底，所述衬底上具有鳍部，所述衬底包括用于形成核心器件的核心区，位于所述核心区衬底上的鳍部为核心区鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖部分所述鳍部的侧壁和顶部表面，所述伪栅结构包括依次位于所述鳍部上的氧化层和伪栅极，位于所述核心区鳍部上的伪栅结构为核心区伪栅结构；在所述伪栅结构之间填充介质层，所述介质层露出所述伪栅极的顶部表面；去除所述核心区伪栅结构的伪栅极，在核心区衬底上的所述介质层内形成露出所述氧化层的注入开口；向所述注入开口底部氧化层下方的核心区鳍部注入修复离子；去除所述注入开口底部的所述氧化层，露出核心区鳍部表面；在露出的所述核心区鳍部表面形成界面层；进行修复处理，使所述修复离子修复所述核心区鳍部与所述界面层的界面。