[发明专利]具有增强的接触件的半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201610659946.8 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN106601813A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 奥野泰利;陈振隆;张孟淳;王菘豊;白易芳;鬼木悠丞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 形成半导体结构的方法包括以下操作(i)在衬底上形成鳍结构；(ii)从鳍结构外延生长外延结构；(iii)形成围绕外延结构的牺牲结构；(iv)形成覆盖牺牲结构的介电层；(v)形成穿过介电层的开口以部分地暴露牺牲结构；(vi)去除部分牺牲结构以暴露部分外延结构；以及(vii)形成与外延结构的暴露的部分接触的接触结构。在此处也公开了半导体结构。本发明的实施例还涉及具有增强的接触件的半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 接触 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上形成鳍结构；从所述鳍结构外延生长外延结构；形成围绕所述外延结构的牺牲结构，其中，所述牺牲结构的材料不同于所述外延结构的材料；形成覆盖所述牺牲结构的介电层；形成穿过所述介电层的开口以部分地暴露所述牺牲结构；去除部分所述牺牲结构以暴露部分所述外延结构；以及形成与所述外延结构的暴露的部分接触的接触结构。
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