[发明专利]具有铁磁域的光电半导体装置在审
| 申请号： | 201610656173.8 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106449910A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | M·舒尔;A·杜博尔因斯基 | 申请（专利权）人： | 传感器电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国南卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及具有铁磁域的光电半导体装置。描述了具有一个或多个铁磁域的光电半导体装置和用于处理具有(一个或多个)铁磁域的(一个或多个)光电半导体装置的方法。在一个实施例中，光电半导体装置可以包括半导体结构，半导体结构具有衬底、形成在衬底之上的n型接触层、形成在n型接触层之上的有源层以及形成在有源层之上的p型接触层；以及位于半导体结构上的至少一个铁磁域。用于处理的方法可以包括将(一个或多个)光电半导体装置移动和/或组装为系统。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 铁磁域 光电 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种光电半导体装置，所述光电半导体装置包括：半导体结构，所述半导体结构包括衬底、形成在所述衬底之上的n型接触层、形成在所述n型接触层之上的有源层以及形成在所述有源层之上的p型接触层；以及位于所述半导体结构上的至少一个铁磁域。
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