[发明专利]具有铁磁域的光电半导体装置在审
| 申请号： | 201610656173.8 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106449910A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | M·舒尔;A·杜博尔因斯基 | 申请（专利权）人： | 传感器电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国南卡*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 铁磁域 光电 半导体 装置 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于传感器电子技术股份有限公司，未经传感器电子技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610656173.8/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无机钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法
- 下一篇：一种发光二极管及其制造方法
