[发明专利]具有侧壁保护重布层中介层的半导体封装及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610649629.8 申请日: 2016-08-10
公开(公告)号: CN107195594B 公开(公告)日: 2018-12-04
发明(设计)人: 施信益;吴铁将 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 具有侧壁保护重布层中介层的半导体封装及其制造方法,本发明公开了一种半导体封装,包含一重布层中介层,具有一第一面、相对于第一面的一第二面,及延伸于第一面与第二面之间的一垂直侧壁;至少一半导体晶粒,设在重布层中介层的第一面上;一模塑料,设在第一面上,模塑料包覆半导体晶粒以及重布层中介层的垂直侧壁;以及多个焊锡凸块设在第二面上。
搜索关键词: 具有 侧壁 保护 重布层 中介 半导体 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体封装,包含:一个重布层RDL中介层,具有第一面、与所述第一面相对的第二面,及延伸于所述第一面与所述第二面之间的垂直侧壁;一个钝化层,位于所述RDL中介层的所述第一面上;至少一个半导体晶粒,设在所述RDL中介层的所述第一面上,位于所述钝化层的上方,其中所述至少一个半导体晶粒的侧面与所述RDL中介层的所述垂直侧壁不是共面的;一个模塑料,具有与所述至少一个半导体晶粒的所述侧面以及所述RDL中介层的所述垂直侧壁平行的垂直外部侧壁,所述模塑料与所述至少一个半导体晶粒的所述侧面以及所述RDL中介层的所述垂直侧壁的全部直接接触;以及多个焊锡凸块或焊锡球设在所述第二面上并与所述RDL中介层电气接触。
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