[发明专利]多晶硅回刻处理方法在审
| 申请号： | 201610639230.1 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN107689325A | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 贺冠中 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 宋扬,刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的多晶硅回刻处理方法，通过在形成了沟槽的半导体衬底上形成栅氧化层和多晶硅层，并在该多晶硅层上形成一层第一氧化层，通过清洗该第一氧化层，再对去除了该第一氧化层后剩余的多晶硅层进行刻蚀。从而实现多晶硅回刻之前，采用氧化工艺和清洗工艺，去除多晶硅表面的氧化介质或其他沾污物质，改善多晶硅回刻的均匀性，解决多晶硅残留的问题，进而提高了半导体产品的生产良率和可靠性，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅回刻 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅回刻处理方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上进行刻蚀，形成沟槽；在刻蚀后的半导体衬底上进行栅氧化层生长，形成栅氧化层；在所述栅氧化层上进行多晶硅的化学气象沉积，形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成第一氧化层；去除所述第一氧化层；对去除了所述第一氧化层后剩余的所述多晶硅层进行处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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