[发明专利]多晶硅回刻处理方法在审
| 申请号： | 201610639230.1 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN107689325A | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 贺冠中 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 宋扬,刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 硅回刻 处理 方法 | ||
1.一种多晶硅回刻处理方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上进行刻蚀，形成沟槽；
在刻蚀后的半导体衬底上进行栅氧化层生长，形成栅氧化层；
在所述栅氧化层上进行多晶硅的化学气象沉积，形成多晶硅层；
在所述多晶硅层上形成第一氧化层；
去除所述第一氧化层；
对去除了所述第一氧化层后剩余的所述多晶硅层进行处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对去除了所述第一氧化层后剩余的所述多晶硅层进行处理，包括：
对去除了所述第一氧化层后剩余的所述多晶硅层进行回刻，以使所述沟槽内的多晶硅层被保留，所述沟槽外的多晶硅层被去除。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对去除了所述第一氧化层后剩余的所述多晶硅层进行处理，包括：
在所述多晶硅层上形成掩膜层；
对所述掩膜层进行光刻，形成具有图案的掩膜层；
以所述具有图案的掩膜层为掩膜对所述多晶硅层进行刻蚀，形成栅极；
去除所述具有图案的掩膜层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅氧化层和/或所述第一氧化层为绝缘介质。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述绝缘介质为氧化硅SiO2。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述掩膜层包括光刻胶或者氮化硅Si3N4。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化层的形成条件为：温度为400～2000摄氏度、第一气体流量为0～10升/分钟、第二气体流量为0～10升/分钟、作业时间为0～100小时。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化层的形成条件为：温度为800～1100摄氏度、第一气体流量为10～500毫升/分钟、第二气体流量为0～500毫升/分钟、作业时间为0～2小时；所述第一氧化层的厚度为50～500埃。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述第一气体为氧气；所述第二气体为氮气。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一氧化层，包括：
采用氢氟酸溶液对所述第一氧化层进行清洗；
所述氢氟酸溶液的浓度为0.5％～10％；
所述去除所述第一氧化层的清洗时间为30秒～30分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
