[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：形成基底；形成栅极结构；分别形成第一掺杂区和第二掺杂区；形成体接触区，所述体接触区与所述第一掺杂区相邻；形成介质层；形成第一导电结构和第二导电结构。本发明技术方案省去了所述第一掺杂区和所述体接触区之间的隔离区，减小了所形成半导体结构的面积，有利于提高所形成半导体器件的集成性。而且省去隔离区的做法，也能够减小所述体接触区与所形成半导体结构工作时所形成体区之间的距离，缩短累积电荷释放通路，提高累积电荷的释放效率，有利于提高所形成半导体结构的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的绝缘层以及位于所述绝缘层上的沟道层，所述沟道层内具有阱区，所述阱区内具有第一类型掺杂离子；在所述阱区表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的阱区内分别形成第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有第二类型掺杂离子；在所述第一掺杂区远离栅极结构一侧的阱区内形成体接触区，所述体接触区与所述第一掺杂区相邻，所述体接触区内具有第一类型掺杂离子；形成覆盖所述基底和所述栅极结构的介质层；形成贯穿所述介质层的第一导电结构和第二导电结构，所述第一导电结构与所述第一掺杂区以及所述体接触区电连接，所述第二导电结构与所述第二掺杂区电连接。