[发明专利]闪存存储器及其形成方法

摘要

本发明提供了一种闪存存储器及其形成方法，所述闪存存储器件包括至少一个器件区和至少一个字线引出区。所述器件区中具有一隔离存储单元的隔离结构，所述字线引出区中具有一第一绝缘层和一第二绝缘层，并且，所述第一绝缘层和第二绝缘层的一端均与所述隔离结构连接，从而可避免所述第一绝缘层和第二绝缘层为独立的岛状结构，进而在闪存存储器的形成过程中，可有效避免所述第一绝缘层和第二绝缘层发生脱离的现象。

主权项

1.一种闪存存储器的形成方法，其特征在于，包括：S11，提供一衬底，所述衬底包括至少一个器件区以及至少一个字线引出区，于所述器件区和字线引出区上均覆盖有一第一介质层，在所述器件区上形成有至少一个存储单元，所述第一介质层中具有一暴露所述存储单元的开口；S12，于所述字线引出区中形成一第一凹槽和一第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽的一端均与所述开口连通；S13，于所述开口、第一凹槽以及第二凹槽中填充第二介质层；S14，去除所述第一介质层，形成覆盖所述存储单元的隔离结构以及形成位于所述字线引出区的第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层与第二绝缘层的一端均与所述隔离结构连接；S15，于所述衬底上沉积导电材料，并蚀刻所述导电材料，形成位于隔离结构一侧的存储单元字线和位于字线引出区的接触字线，所述存储单元字线和接触字线连接形成一字线带。