[发明专利]半导体装置

摘要

实施方式的半导体装置包含第1及第2构造体、阶差、第1及第2支柱、以及第1及第2接触部。第1构造体包含第1电极层及第1绝缘体。第1构造体具有第1阶面。第2构造体在第1构造体上，设置在除第1阶面上以外的部分。第2构造体包含第2电极层及第2绝缘体。第2构造体具有第2阶面。阶差设置在第1阶面与第2阶面之间。第1支柱经由第1阶面而到达至衬底。第2支柱经由第2阶面而到达至衬底。第2支柱经由阶差与第1支柱相邻。第1接触部经由第1阶面而与第1电极层电连接。第1接触部处于阶差与第1支柱之间。阶差处于第1接触部与第2支柱之间。

主权项

一种半导体装置，其特征在于包括：衬底；第1构造体，设置在所述衬底上，所述第1构造体包含第1电极层及第1绝缘体，所述第1构造体在所述第1绝缘体的表面具有第1阶面；第2构造体，在所述第1构造体上，设置在除所述第1阶面上以外的部分，所述第2构造体包含第2电极层及第2绝缘体，所述第2构造体在所述第2绝缘体的表面具有第2阶面；阶差，设置在所述第1阶面与所述第2阶面之间；绝缘层，设置在所述第1阶面及所述第2阶面上；第1支柱，设置在所述绝缘层及所述第1构造体内，所述第1支柱经由所述第1阶面而到达至所述衬底；第2支柱，设置在所述绝缘层、所述第2构造体、及所述第1构造体内，所述第2支柱经由所述第2阶面而到达至所述衬底，所述第2支柱经由所述阶差而与所述第1支柱相邻；第1接触部，设置在所述绝缘层及所述第1绝缘体内，所述第1接触部经由所述第1阶面而与所述第1电极层电连接；及第2接触部，设置在所述绝缘层及所述第2绝缘体内，所述第2接触部经由所述第2阶面而与所述第2电极层电连接；且所述第1接触部处于所述阶差与所述第1支柱之间，所述阶差处于所述第1接触部与所述第2支柱之间。