[发明专利]一种半导体场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610562559.2 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106024899B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 孙博韬;王立新;张彦飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体场效应晶体管及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底上的第一部分区域形成掩膜层；以掩膜层为掩蔽依次在半导体衬底中形成阱区、源极区和生长出局部硅氧化层；去除掩膜层；依次形成栅氧层和多晶硅层，以获得半导体场效应晶体管。本发明有效解决了现有后栅氧工艺制造的VDMOS的开通延迟时间会比较长的技术问题，进而减少了后栅氧工艺制造半导体场效应晶体管的开通延迟时间，以有效提高了后栅氧工艺的VDMOS的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体场效应晶体管制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上的第一部分区域形成掩膜层；以所述掩膜层为掩蔽依次在所述半导体衬底中形成阱区、源极区和生长出局部硅氧化层；去除所述掩膜层；依次形成栅氧层和多晶硅层，以获得所述半导体场效应晶体管；所述依次形成栅氧层和多晶硅层包括：在所述第一部分区域上生长出厚度小于所述局部硅氧化层的厚度的所述栅氧层；在所述栅氧层上和所述局部硅氧化层上靠近所述栅氧层的部分区域上生长出所述多晶硅层。
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