[发明专利]鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610511247.9 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN106328711B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 陈建颖;张家玮;陈臆仁;杨柏峰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种FinFET器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括：鳍结构，形成在衬底的上方；以及栅极结构，横越在鳍结构上方。栅极结构包括栅电极层，栅电极层包括位于鳍结构之上的上部和位于鳍结构下方的下部，在上部和下部之间形成虚拟界面，并且下部具有从虚拟界面至下部的底面逐渐减小的减小的宽度。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 finfet 器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，包括：鳍结构，形成在衬底上方；以及栅极结构，横越在所述鳍结构上方，其中，所述栅极结构包括栅电极层，所述栅电极层包括位于所述鳍结构之上的上部和位于鳍结构下方的下部，在所述上部和所述下部之间形成有虚拟界面，并且所述下部具有从所述虚拟界面至所述下部的底面逐渐减小的减小的宽度，所述栅电极层的上部具有垂直的侧壁。
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