[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610509513.4 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106409917B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木俊成;铃村功 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/44 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供可靠性高的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法中，在绝缘层上形成使绝缘层的一部分露出的氧化物半导体层，对从氧化物半导体层露出的绝缘层进行使用了含有氯的气体的等离子处理，将露出的绝缘层的表层的氯杂质除去。氯杂质也可以通过使用含有氟的气体的第1蚀刻处理而被除去。含有氟的气体也可以包括CF4以及CHF3。等离子处理可以是使用含有氯的气体的第2蚀刻处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其中，该半导体装置具备：栅极电极；栅极绝缘层，配置在所述栅极电极上；氧化物半导体层，与所述栅极电极隔着所述栅极绝缘层对置配置；以及源极电极·漏极电极，配置在所述氧化物半导体层上，并与所述氧化物半导体层连接，从所述氧化物半导体层及所述源极电极·漏极电极露出的区域的所述栅极绝缘层的膜厚比所述氧化物半导体层下的所述栅极绝缘层的膜厚以及所述源极电极·漏极电极下的所述栅极绝缘层的膜厚薄，所述半导体装置的制造方法的特征在于，在所述栅极绝缘层上形成使所述栅极绝缘层的一部分露出的所述氧化物半导体层；对从所述氧化物半导体层露出的所述栅极绝缘层进行使用了含有氯的气体的等离子处理；并且进行使用了含有氟的气体的第1蚀刻处理，在该第1蚀刻处理中，通过将所述露出的所述栅极绝缘层半蚀刻到所述氯存在的深度以上，从而将所述露出的所述栅极绝缘层的氯杂质除去。
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