[发明专利]一种生长高品质碳化硅晶须的方法

摘要

本发明属于碳化硅溶液法技术领域，尤其涉及一种生长高品质碳化硅晶须的方法，采用了以一种生长装置实现，通过将晶须收集棒和收集板浸入到石墨坩埚中的碳化硅溶液中，通过调整合成位置和合成温度，可调控生长晶须。采用本发明提供了一种生产高品质SiC晶须的方法，生产过程简单，操作性强，生产成本低，可批量化生长可控尺寸的高品质碳化硅晶须。

主权项

1.一种生长高品质碳化硅晶须的方法，其特征在于：该生长装置的结构如下：包括可容纳碳化硅溶液（4）的石墨坩埚（3）和可伸入石墨坩埚（3）内部的晶须收集棒（6），所述的晶须收集棒（6）设置有收集板（5）；所述的石墨坩埚（3）的顶部开口处设置有坩埚盖（2）；所述的石墨坩埚（3）的外侧包裹有保温板（1）；所述的生长高品质碳化硅晶须的方法，具体步骤为：首先将装有多晶硅原料的石墨坩埚放入真空炉中，然后将真空炉腔室抽真空至0Pa，随后向真空炉腔室内充惰性气体，充至0.5‑1atm，然后对石墨坩埚进行加热，缓慢升温至1420℃，直至多晶硅融化；继续升温至1500‑2300℃，保温30min，使熔融的硅侵蚀石墨坩埚，从而获得碳化硅溶液；然后将碳化硅晶须收集棒和收集板浸入到石墨坩埚中的碳化硅溶液中，然后旋转晶须收集板，搅动碳化硅溶液，促进溶质分布的均匀性，保证晶须生长环境的一致性，旋转完毕，在合成的位置为收集板距离液面的高度为0.2‑5cm处，合成时间保持1‑20小时，可得到预定长度的碳化硅晶须；合成结束之后，将碳晶须收集棒和收集板提拉出溶液，自然冷却，收集获得的碳化硅晶须。