[发明专利]一种二硫化钼薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201610481734.5 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN105970296A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;何佳铸;李奎龙;陈乐;何祝兵;俞文杰;吕有明;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮;洪家伟 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/00;C23C16/30 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 王利彬 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明适用于无机纳米膜材料技术领域，提供了一种二硫化钼薄膜的制备方法，以蓝宝石为衬底，使用CVD法在所述衬底表面生成MoS2薄膜；所述生成MoS2薄膜的过程为：以硫粉和MoO3为原料、高纯氩气为载流气体，在所述衬底上沉积MoS2薄膜。本发明还提供了一种二硫化钼薄膜，采用上述所述的制备方法制成。本发明所提供的二硫化钼薄膜及其制备方法，所用的硫化钼材料与衬底材料蓝宝石之间的结合力极强，所制得的MoS2薄膜的质量极高，可以满足电学领域和光学领域对纳米薄膜材料的质量要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，以蓝宝石为衬底，使用CVD法在所述衬底表面生成MoS2薄膜；所述生成MoS2薄膜的过程为：以硫粉和MoO3为原料、高纯氩气为载流气体，在所述衬底上沉积MoS2薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学，未经深圳大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610481734.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种气流辅助线性齿电极静电纺丝装置
- 下一篇：喷砂草酸阳极工艺
