[发明专利]一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法有效
申请号: | 201610480930.0 | 申请日: | 2016-06-27 |
公开(公告)号: | CN105870263B | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 邹帅;王栩生;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法,包括如下步骤:(1)在硅片表面形成多孔质层结构;(2)然后用碱性化学液进行清洗,并去除孔底残留金属颗粒;(3)然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀,即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构。本发明大幅度延长了第一腐蚀液的使用寿命,并确保了绒面结构的稳定性和均匀性。 | ||
搜索关键词: | 绒面结构 晶体硅太阳能电池 制备 化学腐蚀液 碱性化学液 表面刻蚀 残留金属 多孔质层 硅片表面 使用寿命 腐蚀液 均匀性 去除 清洗 | ||
【主权项】:
1.一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1) 在硅片表面形成多孔质层结构;(2) 用碱性化学液进行清洗;(3) 采用第一清洗液去除残留金属颗粒;(4) 然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀;所述第一化学腐蚀液为BOE和双氧水的混合溶液;(5) 将上述硅片放入第二化学腐蚀液中进行浸渍;所述第二化学腐蚀液为碱液;所述碱液选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氨水或四甲基氢氧化铵的任意一种或多种;即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的