[发明专利]一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法有效
申请号: | 201610480930.0 | 申请日: | 2016-06-27 |
公开(公告)号: | CN105870263B | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 邹帅;王栩生;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绒面结构 晶体硅太阳能电池 制备 化学腐蚀液 碱性化学液 表面刻蚀 残留金属 多孔质层 硅片表面 使用寿命 腐蚀液 均匀性 去除 清洗 | ||
1.一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1) 在硅片表面形成多孔质层结构;
(2) 用碱性化学液进行清洗;
(3) 采用第一清洗液去除残留金属颗粒;
(4) 然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀;
所述第一化学腐蚀液为BOE和双氧水的混合溶液;
(5) 将上述硅片放入第二化学腐蚀液中进行浸渍;所述第二化学腐蚀液为碱液;
所述碱液选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氨水或四甲基氢氧化铵的任意一种或多种;即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中,将硅片放入含有氧化剂以及金属盐的氢氟酸溶液中,形成多孔质层结构。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中,先将硅片放入含有金属离子的溶液中浸泡,使硅片表面涂覆一层金属纳米颗粒;
然后用化学腐蚀液腐蚀硅片表面,形成多孔质层结构;
所述化学腐蚀液为HF和氧化剂的混合溶液。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)和(2)之间、(2)和(3)之间、(3)和(4)之间还均设有水洗步骤。
5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中,清洗时间为5~250 s;
所述碱性化学液中碱性物质的体积浓度为0.1~30%,温度为20~80℃;
所述碱性化学液选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氨水、氨水和双氧水的混合液、四甲基氢氧化铵中的任意一种或多种。
6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中,所述第一清洗液选自以下4种溶液中的一种:盐酸和双氧水的混合液、氨水和双氧水的混合液、硝酸、氨水;
所述硝酸的体积浓度为5~69%;所述氨水的体积浓度为1~30%;
所述第一清洗液的温度为20~80℃。
7.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中的刻蚀时间为10~15 min。
8.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中的BOE中氟化氢和氟化铵的摩尔比为1:1~6;
所述步骤(4)中的第一化学腐蚀液中氢氟酸的浓度为1~15 mol/L,双氧水的浓度为1~15 mol/L。
9.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法,其特征在于,所述步骤(5)之后,还包括如下步骤:
(6) 然后将上述硅片放入第二清洗液中进行清洗;
所述第二清洗液为盐酸和双氧水的混合液、氨水和双氧水的混合液中的任意一种混合液;
(7) 然后将上述硅片放入氢氟酸溶液中浸渍。
10.根据权利要求9所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法,其特征在于:所述步骤(5)、(6)、(7)之前以及步骤(7)之后,还均设有水洗步骤。
11.一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1) 在硅片表面形成多孔质层结构;
(2) 用碱性化学液进行清洗,并去除孔底残留金属颗粒;
(3) 然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀;
所述第一化学腐蚀液为BOE和双氧水的混合溶液;
(4) 将上述硅片放入第二化学腐蚀液中进行浸渍;所述第二化学腐蚀液为碱液;即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构;
所述碱液选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氨水或四甲基氢氧化铵的任意一种或多种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的