[发明专利]光电子器件、半导体基板及其制作方法

摘要

本发明提供了一种光电子器件、半导体基板及其制作方法，该半导体基板包括硅衬底以及位于所述硅衬底第一表面的金属层，所述硅衬底的第一表面具有多个凹槽，所述金属层覆盖所述凹槽之间的区域以及所述凹槽的底面和侧壁。本发明中的凹槽及其表面的金属层可以看作U型波导，该U型波导存在多种模式的表面等离子激元激发，这些多种模式的表面等离子激元激发可以拓宽半导体基板的吸收带，使硅基光电子器件及硅基光电探测器得到更广泛的应用。

主权项

一种半导体基板，其特征在于，包括：硅衬底，所述硅衬底的第一表面具有多个凹槽；位于所述硅衬底第一表面的金属层，所述金属层覆盖所述凹槽之间的区域以及所述凹槽的底面和侧壁。