[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610446550.5 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107527947B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 周乾;杨海玩;黄永彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该半导体器件包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底上的主栅极和位于所述主栅极之下的沟道，以及位于所述主栅极和沟道两侧的源极和漏极，在所述源极和漏极之间还设置有n个子栅极，所述主栅极和所述n个子栅极之间彼此分离，其中，所述主栅极和所述n个子栅极每个均可单独施加不同的电压，以调节施加在所述沟道上的电压，n为大于等于1的整数。该半导体器件可以精确控制饱和电流，方便进行器件调试。该电子装置具有类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底上的主栅极和位于所述主栅极之下的沟道，以及位于所述主栅极和沟道两侧的源极和漏极，在所述源极和漏极之间还设置有n个子栅极，所述主栅极和所述n个子栅极之间彼此分离，其中，所述主栅极和所述n个子栅极每个均可单独施加不同的电压，以调节施加在所述沟道上的电压，n为大于等于1的整数。
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