[发明专利]层叠存储器件和半导体存储系统有效
| 申请号： | 201610445646.X | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN106782641B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 李贤圣;郑椿锡 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种层叠存储器件，其包括基底裸片和多个核心裸片。基底裸片可以包括：弱单元地址储存单元，用于储存弱单元地址；串行化单元，用于选择弱单元地址中的至少一个作为目标弱单元地址，将选中的目标弱单元地址转换成串行弱单元地址，以及同步于串行弱单元地址而输出选通信号；去串行化单元，用于基于选通信号来储存串行弱单元地址，以及基于刷新结束信号来将储存的地址转换成并行弱单元地址；以及刷新控制单元，用于选择并行弱单元地址或基于刷新信号产生的刷新地址，以及输出目标地址。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 存储 器件 半导体 存储系统 | ||
【主权项】：
一种层叠存储器件，包括基底裸片和多个核心裸片，其中，基底裸片包括：弱单元地址储存单元，适用于储存弱单元地址；串行化单元，适用于基于弱单元刷新模式信号和管道控制信号而选择从弱单元地址储存单元提供的弱单元地址中的至少一个作为目标弱单元地址，将选中的目标弱单元地址转换成串行弱单元地址，以及同步于串行弱单元地址而输出选通信号；去串行化单元，适用于基于选通信号来储存串行弱单元地址，以及基于刷新结束信号来将储存的地址转换成并行弱单元地址；刷新控制单元，适用于选择并行弱单元地址或基于刷新信号产生的刷新地址，以及输出用于刷新操作的目标地址；以及管道控制单元，适用于基于刷新信号来产生被连续激活预定次数的管道控制信号。
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