[发明专利]层叠存储器件和半导体存储系统

权利要求书

1.一种层叠存储器件，包括基底裸片和多个核心裸片，

其中，基底裸片包括：

弱单元地址储存单元，适用于储存弱单元地址；

串行化单元，适用于基于弱单元刷新模式信号和管道控制信号而选择从弱单元地址储存单元提供的弱单元地址中的至少一个作为目标弱单元地址，将选中的目标弱单元地址转换成串行弱单元地址，以及同步于串行弱单元地址而输出选通信号；

去串行化单元，适用于基于选通信号来储存串行弱单元地址，以及基于刷新结束信号来将储存的地址转换成并行弱单元地址；

刷新控制单元，适用于选择并行弱单元地址或基于刷新信号产生的刷新地址，以及输出用于刷新操作的目标地址；以及

管道控制单元，适用于基于刷新信号来产生被连续激活预定次数的管道控制信号。

2.根据权利要求1所述的层叠存储器件，其中，基底裸片和这些核心裸片被层叠以经由多个穿通芯片通孔来传送信号。

3.根据权利要求1所述的层叠存储器件，其中，管道控制单元、去串行化单元和刷新控制单元设置在基底裸片的中心区域中，而弱单元地址储存单元和串行化单元设置在基底裸片的外部区域中。

4.根据权利要求1所述的层叠存储器件，其中，串行化单元包括多个管道锁存器，所述多个管道锁存器适用于储存基于串行管道输入控制信号而选中的目标弱单元地址，以及响应于多个串行管道输出控制信号来将储存的地址作为串行弱单元地址输出，所述串行管道输入控制信号基于管道控制信号而产生，所述多个串行管道输出控制信号基于管道控制信号而产生。

5.根据权利要求1所述的层叠存储器件，其中，串行化单元包括：

串行化控制单元，适用于接收被连续激活预定次数的管道控制信号，产生串行管道输入控制信号和N个串行管道输出控制信号，以及响应于串行管道输入控制信号和弱单元刷新模式信号来选择从弱单元地址储存单元提供的弱单元地址中的一个作为目标弱单元地址，其中，N为大于2的自然数；

串行器，适用于响应于这些串行管道输出控制信号来将目标弱单元地址转换成串行弱单元地址；以及

选通信号发生单元，适用于响应于这些串行管道输出控制信号而同步于串行弱单元地址来产生选通信号。

6.根据权利要求5所述的层叠存储器件，其中，串行化控制单元包括：

串行管道控制单元，适用于当从管道控制单元输入被连续激活预定次数的管道控制信号时，响应于管道控制信号的第一次激活至第N次激活来产生N个串行管道输出控制信号，以及响应于管道控制信号的第(N+1)次激活来产生串行管道输入控制信号；以及

串行输入控制单元，适用于响应于串行管道输入控制信号和弱单元刷新模式信号来选择从弱单元地址储存单元提供的弱单元地址中的一个作为目标弱单元地址。

7.根据权利要求6所述的层叠存储器件，其中，串行输入控制单元包括：

计数器，当弱单元刷新模式信号被去激活时，所述计数器被重置，并且所述计数器适用于通过对串行管道输入控制信号计数来产生计数信号；以及

多路复用器，适用于响应于计数信号来选择从弱单元地址储存单元提供的弱单元地址中的一个，以及输出选中的地址作为目标弱单元地址。

8.根据权利要求5所述的层叠存储器件，其中，选通信号发生单元对这些串行管道输出控制信号执行或运算，以产生被激活N次的选通信号。

9.根据权利要求1所述的层叠存储器件，其中，去串行化单元包括多个管道锁存器，所述多个管道锁存器适用于响应于多个并行管道输入控制信号来储存串行弱单元地址，以及响应于刷新结束信号来输出并行弱单元地址，所述多个并行管道输入控制信号基于选通信号而产生。