[发明专利]晶体管及形成方法

摘要

一种晶体管及形成方法，包括提供衬底，衬底表面具有鳍部；形成位于鳍部表面的栅极结构，栅极结构横跨鳍部，覆盖鳍部顶部和侧壁的部分表面；在栅极结构一侧的鳍部内形成第一掺杂层；形成第一材料层之后，在栅极结构另一侧的鳍部内形成第二掺杂层。本发明技术方案通过先后两次工艺步骤，分别形成第一掺杂层和第二掺杂层，使第一掺杂层和第二掺杂层形成步骤相互独立，从而有利于扩大第一掺杂层和第二掺杂区对材料和掺杂性质的选择范围，有利于提高所形成晶体管性能。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有鳍部；形成位于所述鳍部表面的栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部，覆盖所述鳍部顶部和侧壁的部分表面；在所述栅极结构一侧的鳍部内形成第一掺杂层，所述第一掺杂层的材料为第一半导体材料，所述第一掺杂层内具有第一掺杂离子；形成第一掺杂层之后，在所述栅极结构另一侧的鳍部内形成第二掺杂层，所述第二掺杂层的材料为第二半导体材料，所述第二掺杂层内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的类型不同。