[发明专利]晶体管及形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有鳍部；

形成位于所述鳍部表面的栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部，覆盖所述鳍部顶部和侧壁的部分表面；

在所述栅极结构一侧的鳍部内形成第一掺杂层，所述第一掺杂层的材料为第一半导体材料，所述第一掺杂层内具有第一掺杂离子；

形成第一掺杂层之后，在所述栅极结构另一侧的鳍部内形成第二掺杂层，所述第二掺杂层的材料为第二半导体材料，所述第二掺杂层内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的类型不同。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一掺杂层的步骤包括：在所述栅极结构一侧的鳍部内形成第一开口；向所述第一开口内填充第一半导体材料形成第一半导体层；在所述第一半导体层内掺杂第一掺杂离子，形成第一掺杂层；

形成所述第二掺杂层的步骤包括：在所述栅极结构另一侧的鳍部内形成第二开口；向所述第二开口内填充第二半导体材料形成第二半导体层；在所述第二半导体层内掺杂第二掺杂离子，形成第二掺杂层。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一半导体层的步骤和形成所述第二半导体层的步骤中的一个或两个步骤包括：采用沉积或外延生长的方式形成所述第一半导体层或所述第二半导体层；或者采用沉积或外延生长的方式形成所述第一半导体层和所述第二半导体层。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成第一掺杂层的步骤和形成第一掺杂层的步骤中的一个或两个步骤包括：采用原位掺杂的方式在所述第一半导体层内掺杂第一掺杂离子或在所述第二半导体层内掺杂第二掺杂离子；或者，采用原位掺杂的方式在所述第一半导体层内掺杂第一掺杂离子和在所述第二半导体层内掺杂第二掺杂离子。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二掺杂层的步骤中，所述第二半导体材料与所述第一半导体材料不相同。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二掺杂层的步骤中，所述第二掺杂层的掺杂浓度与所述第一掺杂层的掺杂浓度不同。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一半导体材料包括：N型砷化铟、铟砷锑或铟砷化镓；所述第二半导体材料包括：锗、锗硅、锗锡或锑化镓。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供衬底的步骤中，所述衬底包括用于形成第一类型晶体管的第一区域和用于形成第二类型晶体管的第二区域，位于第一区域衬底表面的鳍部为第一鳍部，位于第二区域衬底表面的鳍部为第二鳍部；

形成栅极结构的步骤包括：

形成位于所述第一鳍部表面的第一栅极结构；

形成位于所述第二鳍部表面的第二栅极结构；

形成所述第一掺杂层的步骤中，在所述第一栅极结构一侧的第一鳍部内形成第一源区，所述第一源区的材料为第一材料，所述第一源区内具有第一离子；

形成所述第二掺杂层的步骤中，所述第一栅极结构另一侧的第一鳍部内形成第一漏区，所述第一漏区的材料为第二材料，所述第一漏区内具有第二离子，所述第一离子与所述第二例子的类型不同；

所述形成方法还包括：

在所述第二栅极结构一侧的第二鳍部内形成第二源区，所述第二源区的材料为第三材料，所述第二源区内具有第三离子；

在所述第二栅极结构另一侧的第二鳍部内形成第二漏区，所述第二漏区的材料为第四材料，所述第二漏区内具有第四离子。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述第一材料与所述第四材料相同，所述第一离子与所述第四离子相同；

形成所述第二漏区的步骤包括：所述第二漏区与所述第一源区同时形成。

10.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述第二材料与所述第三材料相同，所述第二离子与所述第三离子相同；

形成所述第二源区的步骤包括：所述第二源区与所述第一漏区同时形成。