[发明专利]具有其中有间隙的双密封环的集成电路在审
| 申请号： | 201610379634.1 | 申请日： | 2009-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN105977212A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 诺曼·小弗雷德里克;汤姆·迈尔斯 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及具有其中有间隙的双密封环的集成电路。可通过制造具有非邻近间隙的两个密封环而减少信号传播及水分渗透的量及因IC中的水分渗透降级所致的对应的可靠性问题。在一个实施例中，可通过制造具有带有偏移的入口部分及出口部分的沟道的宽密封环而达到相同效果。所述实施例中的任一者还可具有进一步减少信号传播的接地密封环区段。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 其中 间隙 密封 集成电路 | ||
【主权项】：
一种用于集成电路的密封系统，其包含：第一密封环，其限定所述集成电路，所述第一密封环包括至少一个间隙；第二密封环，其限定所述第一密封环，所述第二密封环包括从所述第一密封环的所述至少一个间隙偏移的至少一个间隙；以及每一间隙下的掺杂区域，其具有比直接位于所述第一密封环和所述第二密封环的任意部分下方的掺杂浓度更低的掺杂浓度，所述掺杂区域增加对跨越每一间隙的信号传播的抵抗力。
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