[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610379438.4 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107452793B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王彦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/205;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：衬底和位于衬底上的鳍片结构，该鳍片结构包括：在衬底上的第一半导体层和在第一半导体层上的堆叠的一个或多个半导体层结构，该半导体层结构包括：第一绝缘物层和在第一绝缘物层上的第二半导体层；该第一半导体层的材料的构成元素与该第二半导体层的材料的构成元素相同。相比现有技术的鳍片结构，在本发明的鳍片结构中插入了一个或多个绝缘物层，可以使得利用本发明的鳍片结构制造形成的半导体器件得到更高的导通电流与关断电流比，从而提供器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上形成堆叠的一个或多个半导体层结构，所述半导体层结构包括：第一绝缘物层和在所述第一绝缘物层上的第二半导体层；所述第一半导体层的材料的构成元素与所述第二半导体层的材料的构成元素相同；以及至少蚀刻所述一个或多个半导体层结构和所述第一半导体层以形成鳍片结构。
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