[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了半导体装置及其制造方法。该装置包括：半导体衬底；突出于半导体衬底的一个或多个鳍片，每个鳍片的侧边形成有沟槽；部分地填充沟槽的第一绝缘物层，鳍片突出于第一绝缘物层；覆盖在鳍片上的第二绝缘物层；在第二绝缘物层上分别包绕鳍片的一部分的多个伪栅极结构，伪栅极结构包括位于第二绝缘物层上的伪栅极，该多个伪栅极结构至少包括间隔开的第一伪栅极结构和第二伪栅极结构；第二伪栅极结构位于鳍片的边缘角部上，且第二伪栅极结构的一部分在第一绝缘物层上；在第一绝缘物层和第二绝缘物层上，分别在多个伪栅极结构的两侧的间隔物；以及在鳍片上位于多个伪栅极结构之间的源极或漏极。本发明可提高器件可靠性。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：半导体衬底；突出于所述半导体衬底的一个或多个鳍片，其中每个鳍片的侧边形成有沟槽；部分地填充所述沟槽的第一绝缘物层，其中所述鳍片突出于所述第一绝缘物层；以及覆盖在所述鳍片上的第二绝缘物层；在所述第二绝缘物层上形成分别包绕所述鳍片的一部分的多个伪栅极结构，所述伪栅极结构包括位于所述第二绝缘物层上的伪栅极，所述多个伪栅极结构至少包括间隔开的第一伪栅极结构和第二伪栅极结构；所述第二伪栅极结构位于所述鳍片的边缘角部上，并且所述第二伪栅极结构的一部分在所述第一绝缘物层上；在所述第一绝缘物层和所述第二绝缘物层上，分别在所述多个伪栅极结构的两侧形成间隔物；蚀刻未被所述间隔物和所述伪栅极覆盖的所述第二绝缘物层和所述鳍片的至少一部分以在所述鳍片中形成凹陷；在所述凹陷中形成源极或漏极。