[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201610356716.4 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107437547B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干间隔设置的浮栅，以及位于所述浮栅上的硬掩膜层；在所述浮栅和所述硬掩膜层的侧壁上形成侧墙，其中所述侧墙的材料包括无定形碳；在相邻所述浮栅之间的半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构；去除所述硬掩膜层和所述侧墙，以露出所述浮栅。根据本发明的制作方法，采用无定形碳侧墙保护浮栅以及隧穿氧化层的侧壁，使其在刻蚀工艺中免于收到腐蚀损伤，且无定形碳的灰化去除方法也不会对氧化物造成损伤，因此，采用本发明的制作方法，可以提高器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干间隔设置的浮栅，以及位于所述浮栅上的硬掩膜层；在所述浮栅和所述硬掩膜层的侧壁上形成侧墙，其中所述侧墙的材料包括无定形碳；在相邻所述浮栅之间的半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构；去除所述硬掩膜层和所述侧墙，以露出所述浮栅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610356716.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成吊顶面板（巴洛迪伦）
- 下一篇：电动车（02）
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
