[发明专利]一种半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干间隔设置的浮栅，以及位于所述浮栅上的硬掩膜层，所述硬掩膜层包括第一硬掩模层和位于第一硬掩模层上的第二硬掩模层；

在所述浮栅和所述硬掩膜层的侧壁上形成侧墙，其中所述侧墙的材料包括无定形碳；

在相邻所述浮栅之间的半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构，形成浅沟槽隔离结构的步骤包括：以所述硬掩膜层和所述侧墙为掩膜，刻蚀半导体衬底，在半导体衬底中形成浅沟槽；沉积隔离材料填充所述浅沟槽，并进行化学机械研磨，停止于所述第一硬掩膜层的表面；回蚀刻去除部分所述隔离材料，以形成浅沟槽隔离结构；

形成浅沟槽隔离结构之后，去除所述硬掩膜层和所述侧墙，以露出所述浮栅。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的顶面与所述半导体衬底的表面齐平。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述硬掩膜层和所述浮栅之间还形成有缓冲层。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通过氧气灰化的方法去除所述侧墙。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除所述硬掩膜层和所述侧墙之后，还包括在所述浮栅和所述半导体衬底的表面上形成栅间介电层的步骤。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述栅间介电层包括氧化物-氮化物-氧化物构成的ONO层。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层的材料为氮化物，所述第二硬掩膜层的材料为氧化物。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述侧墙的厚度范围为100-500埃。

9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述浮栅和所述半导体衬底之间还形成有隧穿氧化层。