[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，采用双栅极结构，所述双栅极在有源层两侧对称分布，能有效防止TFT阈值电压的变动，提升TFT的开关特性；同时通过先制作有源层后制作栅极绝缘层，使栅极绝缘层直接生长于有源层上，改善了栅极绝缘层与有源层的接触界面，进一步提升TFT的开关特性。本发明的TFT基板，区别于传统的底栅或顶栅结构的TFT基板，使栅极在竖直方向上位于源极和像素电极之间，并且采用对称于有源层的双栅极结构，能有效防止TFT阈值电压的变动，提升TFT的开关特性；同时改善了栅极绝缘层与有源层的接触界面，进一步提升TFT的开关特性。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成数据线(21)、及与数据线(21)相连的源极(22)；步骤2、形成有源层(30)，所述有源层(30)至少部分位于所述源极(22)上；步骤3、在所述有源层(30)、源极(22)、数据线(21)、及衬底基板(10)上形成栅极绝缘层(40)，对所述栅极绝缘层(40)进行图形化处理，在所述栅极绝缘层(40)上形成对应于所述有源层(30)的第一通孔(41)；步骤4、形成第一栅极(52)、第二栅极(53)、及漏极(51)，所述第一栅极(52)、及第二栅极(53)均位于栅极绝缘层(40)上，且分别对应于所述有源层(30)的两侧，所述漏极(51)至少部分位于所述第一通孔(41)内并通过第一通孔(41)与所述有源层(30)相连；步骤5、在所述漏极(51)、第一栅极(52)、第二栅极(53)、及栅极绝缘层(40)上形成钝化层(60)，对所述钝化层(60)进行图形化处理，在所述钝化层(60)上形成对应于漏极(51)的第二通孔(61)；步骤6、形成像素电极(70)，所述像素电极(70)至少部分位于所述第二通孔(61)内并通过第二通孔(61)与漏极(51)相连；所述第一通孔(41)位于所述有源层(30)上方，所述漏极(51)在衬底基板(10)上的正投影完全覆盖所述有源层(30)在衬底基板(10)上的正投影；所述第二通孔(61)位于所述漏极(51)上方，所述像素电极(70)在衬底基板(10)上的正投影完全覆盖所述漏极(51)与有源层(30)在衬底基板(10)上的正投影；所述步骤4包括：采用物理气相沉积方法在所述栅极绝缘层(40)上沉积第二金属层(45)，采用一道光刻制程对所述第二金属层(45)进行图形化处理后得到漏极(51)、第一栅极(52)、及第二栅极(53)；所述光刻制程包括涂光阻、曝光、显影、及湿蚀刻制程；所述漏极(51)、及第一、第二栅极(52、53)的材料包括钼、钛、铝、铜中的一种或多种。