[发明专利]包括辅助位线的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201610341096.7 申请日: 2016-05-20
公开(公告)号: CN106169476B 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 李俊熙;金志荣;朴镇泽;曹盛纯 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;G11C13/00;H01L27/11529
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 张帆;崔卿虎
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了包括辅助位线的半导体装置。一种半导体装置包括交替的栅极和绝缘层的堆叠件。所述半导体装置包括伪单元区。所述半导体装置包括多根位线和多根辅助位线。所述多根辅助位线中的一些具有不同的对应长度。本发明还提供了形成半导体装置的相关方法。
搜索关键词: 包括 辅助 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:交替的栅极和绝缘层的堆叠件;堆叠件中的竖直沟道;与竖直沟道间隔开的伪单元区;与堆叠件重叠的第一辅助位线至第四辅助位线,其中第一辅助位线电连接至竖直沟道;第一位线,其与第一辅助位线和第二辅助位线重叠并且电连接至第一辅助位线和第二辅助位线,其中第一辅助位线的第一长度比第二辅助位线的第二长度更长或者更短;以及第二位线,其与第三辅助位线和第四辅助位线重叠并且电连接至第三辅助位线和第四辅助位线,其中第三辅助位线的第三长度比第四辅助位线的第四长度更长或者更短,其中,第一位线和第二位线以及第一辅助位线至第四辅助位线位于第一单元区和第二单元区中,并且其中,伪单元区位于其中具有第一位线和第二位线以及第一辅助位线至第四辅助位线的第一单元区与第二单元区之间。
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