[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置在审
申请号: | 201610340899.0 | 申请日: | 2016-05-19 |
公开(公告)号: | CN105870135A | 公开(公告)日: | 2016-08-17 |
发明(设计)人: | 舒适;何晓龙;张斌;薛建设;张锋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置,所述制作方法包括:形成包括多个薄膜晶体管的源极和漏极的图形,所述源极包括源极金属部和源极欧姆接触部,所述漏极包括漏极金属部和漏极欧姆接触部;形成非晶硅半导体层;以各个所述薄膜晶体管的源极和漏极为对位标记,利用选择性激光退火工艺至少对所述非晶硅半导体层中位于各个薄膜晶体管的源极和漏极之间的部分进行退火;进行构图工艺,以形成包括各个薄膜晶体管的有源层的图形,所述有源层位于退火区域内;形成包括各个薄膜晶体管的栅极的图形。本发明能够解决多晶硅薄膜晶体管的欧姆接触的问题,减小源漏极与有源层之间的接触电阻。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:形成包括多个薄膜晶体管的源极和漏极的图形,所述源极包括源极金属部和设置在所述源极金属部上的源极欧姆接触部,所述漏极包括漏极金属部和设置在所述漏极金属部上的漏极欧姆接触部;形成非晶硅半导体层;以各个所述薄膜晶体管的源极和漏极为对位标记,利用选择性激光退火工艺至少对所述非晶硅半导体层中位于各个所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的部分进行退火,以使得退火区域的非晶硅形成为多晶硅;进行构图工艺,以形成包括各个所述薄膜晶体管的有源层的图形,所述有源层位于所述退火区域内,且与相应的所述源极欧姆接触部和所述漏极欧姆接触部相连;形成包括各个所述薄膜晶体管的栅极的图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610340899.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:碳烤架废气过滤装置
- 下一篇:一种预精组合式折叠膜空气过滤器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的