[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置在审

专利信息
申请号: 201610340899.0 申请日: 2016-05-19
公开(公告)号: CN105870135A 公开(公告)日: 2016-08-17
发明(设计)人: 舒适;何晓龙;张斌;薛建设;张锋 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置,所述制作方法包括:形成包括多个薄膜晶体管的源极和漏极的图形,所述源极包括源极金属部和源极欧姆接触部,所述漏极包括漏极金属部和漏极欧姆接触部;形成非晶硅半导体层;以各个所述薄膜晶体管的源极和漏极为对位标记,利用选择性激光退火工艺至少对所述非晶硅半导体层中位于各个薄膜晶体管的源极和漏极之间的部分进行退火;进行构图工艺,以形成包括各个薄膜晶体管的有源层的图形,所述有源层位于退火区域内;形成包括各个薄膜晶体管的栅极的图形。本发明能够解决多晶硅薄膜晶体管的欧姆接触的问题,减小源漏极与有源层之间的接触电阻。
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:形成包括多个薄膜晶体管的源极和漏极的图形,所述源极包括源极金属部和设置在所述源极金属部上的源极欧姆接触部,所述漏极包括漏极金属部和设置在所述漏极金属部上的漏极欧姆接触部;形成非晶硅半导体层;以各个所述薄膜晶体管的源极和漏极为对位标记,利用选择性激光退火工艺至少对所述非晶硅半导体层中位于各个所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的部分进行退火,以使得退火区域的非晶硅形成为多晶硅;进行构图工艺,以形成包括各个所述薄膜晶体管的有源层的图形,所述有源层位于所述退火区域内,且与相应的所述源极欧姆接触部和所述漏极欧姆接触部相连;形成包括各个所述薄膜晶体管的栅极的图形。
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