[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610340793.0 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106257676B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 宇佐美达矢 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金光华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体装置及其制造方法。从半导体制造装置所具备的静电吸盘不发生问题地使SOI晶片吸附、脱离。半导体装置具备：半导体基板(SUB)，由硅构成；第1绝缘膜(CL)，形成在半导体基板(SUB)的主面上，对基板产生压缩应力；波导(OTL)，形成在第1绝缘膜(CL)上，由硅构成；以及第1层间绝缘膜(ID1)，以覆盖波导(OTL)的方式形成在第1绝缘膜(CL)上。而且，对基板产生拉伸应力的第2绝缘膜(TS)形成在第1层间绝缘膜(ID1)上且从波导(OTL)离开第1绝缘膜(CL)的厚度以上的区域中，通过第2绝缘膜(TS)抵消第1绝缘膜(CL)的压缩应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：基板，由硅构成；第1包覆层，形成在所述基板的主面上，对所述基板产生压缩应力；光波导，形成在所述第1包覆层上，并由硅构成；以及第2包覆层，以覆盖所述光波导的方式形成在所述第1包覆层上，对所述基板产生拉伸应力的绝缘膜形成在所述第2包覆层上或者所述第2包覆层下、且从所述光波导离开了所述第1包覆层的厚度以上的区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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