[发明专利]一种双重图形技术图案化磁性隧道结的方法有效

专利信息
申请号: 201610332823.3 申请日: 2016-05-18
公开(公告)号: CN107403865B 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 张云森 申请(专利权)人: 上海磁宇信息科技有限公司
主分类号: H01L43/12 分类号: H01L43/12
代理公司: 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 代理人: 于晓菁
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种双重图形技术图案化磁性隧道结的方法,步骤如下:提供具有MTJ多层膜结构的基底;在基底上依次形成Ta膜层和介电膜层;采用与MTJ相反的图案进行图案化定义;对定义好的MTJ相反图案进行修剪,对BRAC进行刻蚀,将MTJ相反图案转移到介电膜层,形成相反图案衬底;沉积一层介电质在MTJ相反图案衬底;对介电质进行回刻;氧气干刻蚀工艺除去PR和BARC,以完成对MTJ的图案化定义;反应离子束刻蚀图案化定义好的双层掩模,使图案顺利转移到MTJ膜层;采用CH3OH等气体干刻蚀MTJ膜层,以完成MTJ的图案化。
搜索关键词: 一种 双重 图形 技术 图案 磁性 隧道 方法
【主权项】:
一种双重图形技术图案化磁性隧道结的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:提供具有磁性隧道结膜层结构的基底;步骤S2:在所述基底上依次形成钽膜层和介电膜层;步骤S3:以底部抗反射层和光刻胶层来定义与磁性隧道结图案相反的图案,完成图案化定义,得到磁性隧道结相反图案;步骤S4:对所述磁性隧道结相反图案进行修剪,并对所述底部抗反射层进行刻蚀,将所述磁性隧道结相反图案转移到所述介电膜层,形成相反图案衬底;步骤S5:沉积一层介电质在所述相反图案衬底;步骤S6:对所述介电质进行回刻;步骤S7:用氧气干刻蚀工艺除去所述光刻胶层和所述底部抗反射层,以完成对磁性隧道结的图案化定义,得到双层掩模;步骤S8:反应离子束刻蚀所述双层掩模,使所述磁性隧道结图案转移到所述磁性隧道结膜层;步骤S9:采用气体干刻蚀所述磁性隧道结膜层,以完成磁性隧道结的图案化。
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