[发明专利]一种双重图形技术图案化磁性隧道结的方法有效
申请号: | 201610332823.3 | 申请日: | 2016-05-18 |
公开(公告)号: | CN107403865B | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 张云森 | 申请(专利权)人: | 上海磁宇信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L43/12 | 分类号: | H01L43/12 |
代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
地址: | 201800 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明提供了一种双重图形技术图案化磁性隧道结的方法,步骤如下:提供具有MTJ多层膜结构的基底;在基底上依次形成Ta膜层和介电膜层;采用与MTJ相反的图案进行图案化定义;对定义好的MTJ相反图案进行修剪,对BRAC进行刻蚀,将MTJ相反图案转移到介电膜层,形成相反图案衬底;沉积一层介电质在MTJ相反图案衬底;对介电质进行回刻;氧气干刻蚀工艺除去PR和BARC,以完成对MTJ的图案化定义;反应离子束刻蚀图案化定义好的双层掩模,使图案顺利转移到MTJ膜层;采用CH |
||
搜索关键词: | 一种 双重 图形 技术 图案 磁性 隧道 方法 | ||
【主权项】:
一种双重图形技术图案化磁性隧道结的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:提供具有磁性隧道结膜层结构的基底;步骤S2:在所述基底上依次形成钽膜层和介电膜层;步骤S3:以底部抗反射层和光刻胶层来定义与磁性隧道结图案相反的图案,完成图案化定义,得到磁性隧道结相反图案;步骤S4:对所述磁性隧道结相反图案进行修剪,并对所述底部抗反射层进行刻蚀,将所述磁性隧道结相反图案转移到所述介电膜层,形成相反图案衬底;步骤S5:沉积一层介电质在所述相反图案衬底;步骤S6:对所述介电质进行回刻;步骤S7:用氧气干刻蚀工艺除去所述光刻胶层和所述底部抗反射层,以完成对磁性隧道结的图案化定义,得到双层掩模;步骤S8:反应离子束刻蚀所述双层掩模,使所述磁性隧道结图案转移到所述磁性隧道结膜层;步骤S9:采用气体干刻蚀所述磁性隧道结膜层,以完成磁性隧道结的图案化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司,未经上海磁宇信息科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610332823.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:环连接的智能变形执行器
- 下一篇:一种柔性光电探测装置及其制备方法