[发明专利]一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池及其制备方法，包括GaAs衬底，所述GaAs衬底为双面抛光的n型GaAs单晶片，在所述GaAs衬底上表面自下而上依次生长有GaAs缓冲层、第一隧道结、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、第二隧道结、AlAs/AlGaAs DBR反射层、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池、欧姆接触层、减反射膜和正面电极，在所述GaAs衬底的下表面依次设置有Ga_1‑zIn_zP应变缓冲层、Ga_1‑xIn_xAs子电池和背面电极。本发明可以提高光子吸收效率，同时发挥四结电池的优势，提高GaAs多结电池的整体开路电压和填充因子，并最终提高电池的光电转换效率。

主权项

一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池，包括GaAs衬底，其特征在于：所述GaAs衬底为双面抛光的n型GaAs单晶片，在所述GaAs衬底上表面自下而上依次生长有GaAs缓冲层、第一隧道结、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、第二隧道结、AlAs/AlGaAs DBR反射层、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池、欧姆接触层、减反射膜和正面电极，在所述GaAs衬底的下表面依次设置有Ga_1‑zIn_zP应变缓冲层、Ga_1‑xIn_xAs子电池和背面电极，其中AlGaAs/GaInAs DBR反射层用于反射长波光子，AlAs/AlGaAs DBR反射层用于反射中长波光子。