[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置在审
申请号: | 201610317785.4 | 申请日: | 2016-05-12 |
公开(公告)号: | CN105826330A | 公开(公告)日: | 2016-08-03 |
发明(设计)人: | 刘琨 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置。该阵列基板包括基底以及依次形成在基底上的栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层、刻蚀阻挡层、平坦层、第一电极层、钝化层和第二电极层;其中,在过孔区域,刻蚀阻挡层、平坦层和钝化层中形成有过孔;第一电极层包括公共电极图形和防刻蚀图形;防刻蚀图形包括多个防刻蚀结构,每一个防刻蚀结构对应填充到一个过孔中;第二电极层包括像素电极图形,像素电极图形中的像素电极通过过孔中的防刻蚀结构与源漏电极层导电连接。通过在过孔内部形成防刻蚀图形,可以在过孔过刻时对平坦层下的刻蚀阻挡层进行保护,使其不会发生横向化学反应刻蚀,保证第二电极层与源漏电极层的能够良好搭接。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括基底、依次形成在基底上的栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层、刻蚀阻挡层、平坦层、第一电极层、钝化层和第二电极层;其中,所述刻蚀阻挡层、平坦层和钝化层中形成有过孔;所述第一电极层包括公共电极图形和防刻蚀图形;所述防刻蚀图形包括多个防刻蚀结构,每一个防刻蚀结构对应填充到一个过孔中,用于防止过孔处的刻蚀阻挡层被刻蚀;所述第二电极层包括像素电极图形,所述像素电极图形中的像素电极通过过孔中的防刻蚀结构与源漏电极层导电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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