[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括：提供基底，基底包括衬底、以及凸出于衬底的鳍部，衬底包括第一区域和第二区域；在衬底上形成第一初始隔离层；图形化第一初始隔离层，在第一区域和第二区域交界处形成露出衬底的第一开口；在第一开口侧壁形成材料与衬底以及鳍部不同的侧壁保护层；沿第一开口刻蚀衬底，在衬底内形成第二开口；形成填充满第二开口和第一开口的第二初始隔离层；去除部分厚度的第二初始隔离层、侧壁保护层和第一初始隔离层，露出鳍部。本发明先在第一初始隔离层内形成第一开口，然后在第一开口侧壁形成侧壁保护层，再沿第一开口刻蚀衬底。侧壁保护层可以保护第一开口两侧的鳍部，从而避免刻蚀衬底的工艺对鳍部造成损耗。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、以及凸出于所述衬底的鳍部，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述鳍部之间的衬底上形成第一初始隔离层；图形化所述第一初始隔离层，在所述第一区域和第二区域交界处形成露出所述衬底的第一开口；在所述第一开口侧壁形成侧壁保护层，所述侧壁保护层与所述衬底以及鳍部的材料不相同；形成所述侧壁保护层后，沿所述第一开口刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成第二开口；形成填充满所述第二开口和第一开口的第二初始隔离层；去除部分厚度的第二初始隔离层、侧壁保护层和第一初始隔离层，露出所述鳍部；剩余所述第一初始隔离层、第二初始隔离层和侧壁保护层用于构成隔离结构。