[发明专利]Resurf半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201610297079.8 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN107346788B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 吴多武 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Resurf半导体器件及其制作方法，制作方法至少包括以下步骤：1）提供一衬底；2）在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽区域；3）在所述衬底表面形成栅极结构；4）在所述衬底内形成沟道区域；5）在所述衬底内形成N型轻掺杂漏区；6）在所述沟道区域内形成源极，并在所述N型轻掺杂漏区内形成漏极。通过在衬底中的N型轻掺杂漏区内形成浅槽区域，可以缩小芯片设计尺寸，可以在充分降低栅极结构下方的电场的同时，有效地降低器件表面的电场强度，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | resurf 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种Resurf半导体器件的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：1)提供一衬底；2)在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽区域；3)在所述衬底表面形成栅极结构；4)在所述衬底内形成沟道区域；5)在所述衬底内形成N型轻掺杂漏区；6)在所述沟道区域内形成源极，并在所述N型轻掺杂漏区内形成漏极。
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