[发明专利]Resurf半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种Resurf半导体器件的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)提供一衬底；

2)在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽区域，所述浅槽区域的数量为多个，多个所述浅槽区域间隔排布；

3)在所述衬底表面形成栅极结构；

4)在所述衬底内形成沟道区域；

5)在所述衬底内形成N型轻掺杂漏区；

6)在所述沟道区域内形成源极，并在所述N型轻掺杂漏区内形成漏极；

其中，所述浅槽区域位于所述栅极结构远离所述沟道区域的一侧；

7)在所述源极远离所述栅极结构一侧的所述衬底内形成重掺杂源极区；

8)在步骤7)得到的结构表面形成介质层，并在对应于所述源极及漏极需要引出区域的所述介质层内形成开口，所述开口暴露出部分所述源极及部分所述漏极；

9)在所述开口内的所述源极表面及所述漏极表面形成引出电极；

10)在所述介质层表面形成法拉第环及浮空层板；所述浮空层板一部分位于所述浅槽区域上方，另一部分位于所述浅槽区域一侧，且位于所述浅槽区域一侧的所述浮空层板的长度小于相邻所述浅槽区域之间的间距。

2.根据权利要求1所述的Resurf半导体器件的制作方法，其特征在于：在步骤2)中，在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽区域包括以下步骤：

2-1)在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽；

2-2)在所述浅槽内填充氧化物以形成所述浅槽区域。

3.根据权利要求1所述的Resurf半导体器件的制作方法，其特征在于：在步骤2)中，形成的所述浅槽区域的深度小于所述N型轻掺杂漏区的深度。

4.根据权利要求1所述的Resurf半导体器件的制作方法，其特征在于：所述浅槽区域的深度为1μm～5μm。

5.根据权利要求1所述的Resurf半导体器件的制作方法，其特征在于：在步骤3)中，在所述衬底表面形成栅极结构包括以下步骤：

3-1)在所述衬底表面形成栅氧化层；

3-2)在所述栅氧化层表面形成多晶硅栅极。

6.一种Resurf半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

沟道区域，位于所述衬底内；

N型轻掺杂漏区，位于所述衬底内，且与所述沟道区域相邻接；

栅极结构，位于所述衬底表面，且一部分位于所述沟道区域上方，另一部分位于所述N型轻掺杂漏区上方；

浅槽区域，位于所述N型轻掺杂漏区内，且所述浅槽区域位于所述栅极结构远离所述沟道区域的一侧；所述浅槽区域的数量为多个，多个所述浅槽区域间隔排布；

源极，位于所述沟道区域内；

漏极，位于所述N型轻掺杂漏区内，且位于所述浅槽区域远离所述栅极结构的一侧；

重掺杂源极区，位于所述沟道区域内，且位于所述源极远离所述栅极结构的一侧；

介质层，位于所述衬底及所述栅极结构表面；所述介质层对应于所述源极及漏极需要引出的区域形成有开口，所述开口暴露出部分所述源极及部分所述漏极；

引出电极，位于所述开口内的所述源极表面及所述漏极表面；

法拉第环，位于所述介质层表面，且一部分位于所述栅极结构的上方，另一部分位于所述栅极结构的一侧；

浮空层板，位于所述介质层表面，且位于所述法拉第环与所述漏极之间；所述浮空层板一部分位于所述浅槽区域上方，另一部分位于所述浅槽区域一侧。

7.根据权利要求6所述的Resurf半导体器件，其特征在于：所述浅槽区域的深度小于所述N型轻掺杂漏区的深度。

8.根据权利要求6所述的Resurf半导体器件，其特征在于：所述浅槽区域的深度为1μm～5μm。

9.根据权利要求6所述的Resurf半导体器件，其特征在于：所述栅极结构包括栅氧化层及多晶硅栅极；所述栅氧化层位于所述衬底表面，所述多晶硅栅极位于所述栅氧化层表面。