[发明专利]Resurf半导体器件及其制作方法

说明书

本发明提供一种Resurf半导体器件及其制作方法，制作方法至少包括以下步骤：1）提供一衬底；2）在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽区域；3）在所述衬底表面形成栅极结构；4）在所述衬底内形成沟道区域；5）在所述衬底内形成N型轻掺杂漏区；6）在所述沟道区域内形成源极，并在所述N型轻掺杂漏区内形成漏极。通过在衬底中的N型轻掺杂漏区内形成浅槽区域，可以缩小芯片设计尺寸，可以在充分降低栅极结构下方的电场的同时，有效地降低器件表面的电场强度，提高器件的可靠性。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，涉及一种Resurf半导体器件及其制作方法。

背景技术

如图1所示，传统的Resurf(Reduced SURface Field，降低表面电场)半导体器件包括：硅衬底10、位于所述硅衬底10内的沟道区域11、位于所述硅衬底10内且与所述沟道区域11相邻接的N型轻掺杂漏区12、位于所述硅衬底10表面的栅氧化层13、位于所述栅氧化层13表面的多晶硅栅极14、位于所述沟道区域11内的源极15、位于所述N型轻掺杂漏区12内的漏极16、位于所述沟道区域11内且位于所述源极15远离所述多晶硅栅极14一侧的重掺杂源极区17、位于所述栅氧化层13及所述硅衬底10表面的介质层18、位于所述源极15及所述漏极16表面的引出电极19，其中，所述源极15及所述漏极16均为重掺杂区域。

然而，传统的Resurf半导体器件存在栅极下方电场较高、表面电场强度较强、器件可靠性较差的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种Resurf半导体器件及其制作方法，用于解决现有技术中传统Resurf半导体器件存在的栅极下方电场较高、表面电场强度较强、器件可靠性较差的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种Resurf半导体器件的制作方法，所述Resurf半导体器件制作方法至少包括以下步骤：

1)提供一衬底；

2)在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽区域；

3)在所述衬底表面形成栅极结构；

4)在所述衬底内形成沟道区域；

5)在所述衬底内形成N型轻掺杂漏区；

6)在所述沟道区域内形成源极，并在所述N型轻掺杂漏区内形成漏极。

作为本发明的Resurf半导体器件的制作方法的一种优选方案，在步骤2)中，在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽区域包括以下步骤：

2-1)在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽；

2-2)在所述浅槽内填充氧化物以形成所述浅槽区域。

作为本发明的Resurf半导体器件的制作方法的一种优选方案，在步骤2)中，形成的所述浅槽区域的数量为多个，多个所述浅槽区域间隔排布。

作为本发明的Resurf半导体器件的制作方法的一种优选方案，在步骤2)中，形成的所述浅槽区域的深度小于所述N型轻掺杂漏区的深度。

作为本发明的Resurf半导体器件的制作方法的一种优选方案，所述浅槽区域的深度为1μm～5μm。

作为本发明的Resurf半导体器件的制作方法的一种优选方案，在步骤3)中，在所述衬底表面形成栅极结构包括以下步骤：

3-1)在所述衬底表面形成栅氧化层；

3-2)在所述栅氧化层表面形成多晶硅栅极。

作为本发明的Resurf半导体器件的制作方法的一种优选方案，在步骤6)之后，还包括以下步骤：